РСП – Ваш надежный дистрибьютор электронных компонентов.

Каталог

Курс ЦБ РФ
(22.01.2021)

$1 = 73.37 руб.
€1 = 88.97 руб.

Первое поколение мощных широкополосных GaN усилителей NXP

Дата: 19.02.2015

Более 35 лет инноваций и богатое портфолио силовых радиочастотных транзисторов оправдывают лидерские позиции компании NXP в производстве устройств на базе нитрид-галлиевой технологии. GaN компоненты предназначены для оборудования сотовой связи и телерадиовещания, систем диапазона ISM, авиационного электронного оборудования и медицинских приборов, радаров и средств радиоэлектронной борьбы.

1.jpg

Дополнительные конкурентные преимущества с GaN технологией от NXP

Новое поколение продукции NXP на базe GaN-технологии демонстрирует лучшую с своем классе линейность, в то же время позволяющую разработчикам достигать высоких показателей мощности, надежности и КПД.

Применение новейших технологий корпусирования дает возможность использования миниатюрных корпусов даже для устройств с такой высокой плотностью мощности, как на базе GaN. Сочетание этих преимуществ делает возможным создание “универсальных” усилителей для различных частотных диапазонов, меньшего размера и с меньшим числом компонентов, что значительно снижает затраты на производство и логистику.

Компания NXP предлагает неограниченные возможности для создания оптимальных и высокоэффективных решений в ваших проектах посредством широкого ассортимента продуктов на базе технологий GaN и LDMOS.

2.jpg


Расширение границ производительности радиочастотных усилителей мощности

GaN-устройства - это транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT), что отражает одно из важнейших преимуществ нитрида галлия - высокую скорость дрейфа электронов. Они работают в режиме обеднения канала, обычно в открытом состоянии и требуют отрицательного смещения для выключения. Управление транзистором в таком режиме не является простой задачей, но NXP также предлагает проверенные и испытанные схемы смещения для работы с GaN.

Еще одно преимущество GaN - это жесткая структура, способная выдерживать очень высокие температуры. Максимальная температура стабильной работы GaN-транзисторов компании NXP – 250 °C, по сравнению с 225 °C для Si LDMOS. При таких высоких температурах особые требования предъявляются к корпусам и здесь также одним из основных преимуществ является 35 летний опыт NXP в создании устройств Power RF.

GaN - это шаг вперед в увеличении КПД и удельной мощности по сравнению с Si LDMOS для большинства областей применения, как это показано на рисунке.

3.jpg

На сегодняшний день, NXP - это единственный производитель с собственной производственной базой для технологии GaN, что гарантирует качество продукции и уверенность в стабильности поставок для каждого клиента.

4.jpg

Основные характеристики:
• Высокие рабочие частоты, полоса пропускания до 6 ГГц
• Высокий КПД
• Отменная линейность
• Высокая плотность мощности
• Высокая теплопроводимость
• Раcширенный температурный диапазон и высокая надежность (250 °C относительно 225 °C для Si LDMOS)
• Отменная прочность

Области применения:
• Беспроводные сети передачи данных (базовые станции)
• Радарные системы
• Широкополосные и узкополосные усилители общего применения
• Системы подвижной радиосвязи
• Системы диапазона ISM
• Радио глушители
• Контрольно-измерительные приборы
• Диагностика электромагнитной совместимости (EMC testing)

5.jpg
Поддержка клиентов

Техническая документация, тестовые отчеты, и симуляционные модели для всех типов устройств на основе GaN доступны на веб-сайте: www.nxp.com/unleash-rf/gan.

Доступные демонстрационные платы для GaN решений на данный момент показаны на рисунке:

6.jpg

Для технической поддержки клиентов мы предоставляем образцы продукции и демонстрационные платы.

7.jpg

Для получения дополнительной информации, свяжитесь с нами по адресу: sales@rssp.ru

Назад к списку новостей

Каталог

Наши контакты

Телефон/факс:
(+7 495) 380-08-39

Адрес: 127287, г. Москва,
ул. 2-я Хуторская, д.29, стр.1, пом. №18

Карта проезда

«RSSP» © 2018
Яндекс.Метрика